프로그램 >
Program at a Glance
2월 4일(월)
Room A
Room B
Room D
Room E
Room F
Room G
Room H
Room I
Room J
Room K
Room L
본관(2층)
본관(5층)
아라홀
마루홀
스카이홀
스타홀
죽실
국실
난실
루비3
골드홀
루비1,2
로비
14:00
-
18:00
SC1
SC2
SC3
SC4
2월 5일(화)
Room A
Room B
Room D
Room E
Room F
Room G
Room H
Room I
Room J
Room K
Room L
본관(2층)
본관(5층)
아라홀
마루홀
스카이홀
스타홀
죽실
국실
난실
루비3
골드홀
루비1,2
로비
09:30
-
10:45
[TD1-J]
[TE1-D]
[TF1-E]
[TG1-A]
[TH1-M]
[TI1-F]
[TP1]
Chip
Design
Contest
전시
Graphenes
and
Related
2D Materials:
Fabrication
and Devices
New
channel
material
tech-
nology
Compound
Semicon-
ductor
I
패키징
및
신뢰성
RF
Circuits
로직
소자
및
집적
기술
I
10:45
-
10:55
휴식
10:55
-
12:10
[TD2-J]
[TE2-D]
[TF2-E]
[TG2-A]
[TH2-M]
[TI2-F]
Nano-
photonics
Devices and
Energy
Conver-
sion
Materials
Functional
thin film
tech-
nology
Comp-ound
Semicon-
ductor
II
배선용
박막
증착
기술
RF
Power
Amplifier
로직
소자
및
집적
기술
Ⅱ
12:10
-
13:10
점심
13:10
-
13:30
개회식 [레크레이션센터 실내체육관, 3층]
13:30
-
14:10
Plenary Talk 1
"Semiconductor Technologies for Human Interface and Low Power Operation"
이근명 부사장, 동부하이텍 [레크레이션센터 실내체육관, 3층]
14:10
-
14:50
Plenary Talk 2
"Ultimate Lamp: LED"
윤의준 교수, 서울대학교 [레크레이션센터 실내체육관, 3층]
14:50
-
15:05
"산업원천 반도체산업향 미래소자기술개발프로그램: 새로운 R&D 모델의 시작"
[레크레이션센터 실내체육관, 3층]
15:05
-
15:15
휴식
15:15
-
16:30
[TD3-J]
[TE3-Q]
[TF3-E]
[TG3-A]
[TH3-G]
[TI3-N]
[TP2]
Soft
Electronic
Materials
and Devices
Metrology
& Inspection
Compound
Semicon-
ductor
III
Cu 배선
및
차세대
배선
기술
Device
Structure
and Modeling
Addre-
ssing
State-of
-the-art Chip
Imple-
mentation
Issues
16:30
-
16:40
휴식
16:40
-
18:10
Rump1
Rump2
Rump3
Rump4
18:30
-
20:30
만찬 [레크레이션센터 실내체육관, 3층]
2월 6일(수)
Room A
Room B
Room D
Room E
Room F
Room G
Room H
Room I
Room J
Room K
Room L
본관(2층)
본관(5층)
아라홀
마루홀
스카이홀
스타홀
죽실
국실
난실
루비3
골드홀
루비1,2
로비
09:40
-
10:55
[WD1-B]
[WE1-P]
[WF1-E]
[WG1-I]
[WH1-G]
[WI1-N]
전시
Patterning
Device
for
Energy
Ⅰ
Compound
Semicon-
ductor
IV
MEMS
&
Sensors
Ⅰ
Device
Simulation
Novel Design
Methods
for High
Perfor-
mance
Compu-
tation
and
Storage
10:55
-
11:05
휴식
11:05
-
11:45
Industrial
1
11:45
-
12:45
점심
12:45
-
14:00
[WD2-C]
[WE2-K]
[WF2-E]
[WG2-I]
[WH2-G]
[WI2-L]
[WP1]
Nanostru-
ctures
and Appli-
cations
Nonvo-
latile
memory
tech-
niques
I
Compound
Semicon-
ductor
V
MEMS
&
Sensors
Ⅱ
Device
Charac-
terization
혼성
신호
회로
기술
14:00
-
14:10
휴식
14:10
-
15:10
Industrial
2
15:10
-
16:25
[WD3-C]
[WE3-K]
[WG3-O]
[WH3-G]
[WI3-L]
Graphene
and
Characte-
rization
Nonvo-
latile
memory
tech-
niques
II
VLSI
System Design
Device
Reliability
데이터
변환기
및
sensor
기술
* 구두발표 세션기호 보는 방법
요일
세션룸
세션순서
분과
예시
TD1-J
T
화요일
D
Room D
1
첫번째 세션
A
J
W
수요일
E
Room E
2
두번째 세션
B
K
F
Room F
3
세번째 세션
C
L
G
Room G
D
M
H
Room H
E
N
I
Room I
F
O
G
P
H
Q
I
※TD1-J:
화요일 Room D에서 첫번째로 진행되는 J분과의 세션
※TD1-J-1:
화요일 Room D에서 첫번째로 진행되는 J분과의 세션의 첫번째 발표
* 분과명
A
Interconnect & Package
J
Nano-Science & Technology
B
Patterning
K
Memory (Design & Process Technology)
C
Material Growth & Characterization
L
Analog Design
D
Thin Film Process Technology
M
RF Design
E
Compound Semiconductors
N
VLSI CAD
F
Silicon Device & Integration Technology
O
System LSI Design
G
Device & Process Modeling, Simulation and Reliability
P
Device for Energy (Solar Cell, Power Device등)
H
Display and Imaging Technologies
Q
Metrology, Inspection, and Yield Enhancement
I
MEMS & Sensors
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