프로그램
Program at a Glance 기조연사 초청연사 Short Course Rump Session 행사장 세부안내 학부생 토크콘서트 현장 이벤트 안내 행사장 안내 및 오시는길 참가자 셔틀버스

2026년 1월 27일(화) / 13:00-16:00 / Room C(컨벤션홀 W), 5층

분야	Power IC 반도체
대주제	Power IC 반도체의 이해와 기술 발전
강연설명	Power IC 반도체의 기본 원리와 응용을 소개하고, BCD 공정 기술, Power IC, 전력변환 모듈을 중심으로 최신 기술 발전 동향을 살펴봅니다. 이를 통해 참가자들이 Power IC 반도체의 핵심 기술을 폭넓게 이해하고 연구 및 개발에 적용할 수 있도록 돕고자 합니다.
좌장	차호영 교수 홍익대학교 Biography 차호영 교수 홍익대학교 학력 Cornell University, Electrical and Computer Engineering, 박사 (2004. 05) 서울대학교 전기공학부 석사 (1999. 02) 서울대학교 전기공학부 학사 (1996. 08) 경력 홍익대학교 전자전기공학부 교수 (2007년 - 현재) (주)칩스케이 CTO (2017년 - 현재) GE Global Research 연구원 (2005 - 2007) Cornell University 박사후연구원 (2004 - 2005) 연구분야 Wide bandgap 전력반도체 Wide bandgap RF 소자 Wide bandgap 센서 x
연사	SC1-1 13:00-14:00 Power IC 공정과 주요 기술 요구 사항 최용건 상무 DB하이텍 Biography Power IC 공정과 주요 기술 요구 사항 최용건 상무 DB하이텍 학력 1996~1998 서울대학교 무기재료공학 석사 1992~1996 서울대학교 무기재료공학 학사 경력 1998~ DB하이텍 근무 연구분야 Bipolar-CMOS-DMOS process & device development x BCD(Biplar-CMOS-DMOS) 공정에서 제공되는 주요 소자의 기술 요구 사항과 최근 통합되고 있는 특별한 옵션 공정에 대해 소개합니다.
	SC1-2 14:00-15:00 Automotive 및 Data Center 향 PMIC 설계 트렌드 홍성완 교수 서강대학교 Biography Automotive 및 Data Center 향 PMIC 설계 트렌드 홍성완 교수 서강대학교 학력 2011 - 2014: 한국과학기술원 박사 2009 - 2011: 한국과학기술원 석사 2005 - 2009: 고려대학교 학사 경력 2021 - 현재: 서강대학교 조/부교수 2017 - 2021: 숙명여자대학교 조교수 2014 - 2017: 삼성전자 책임연구원 연구분야 Power Management IC Design Energy Harvesting Wireless Power Transfer Gate Driver for IGBT, SiC, and GaN x 최근 전기차 및 데이터 센터에서 소비되는 전력량이 증가됨에 따라, 이에 맞춰 PMIC에도 새로운 관점에서의 접근이 필요합니다. 본 발표에서는 해당 배경 및 접근 방식에 대해 소개합니다.
	SC1-3 15:00-16:00 전력반도체 및 패키징 응용 신종원 교수 서울대학교 Biography 전력반도체 및 패키징 응용 신종원 교수 서울대학교 학력 2006. 8. 서울대학교 전기공학부 학사 졸업 2013. 2. 서울대학교 전기공학부 대학원 박사 졸업 경력 2013. 6.-2015. 5. 미국 버지니아텍 방문연구원 2015. 6.-2018. 1. 토요타자동차 미국법인 Senior scientist 2018. 3.-2024. 2. 중앙대학교 에너지시스템공학부 조교수 및 부교수 2021. 9.-2024. 2 일본 나고야대학 방문교수 2024. 3.-현재 서울대학교 전기정보공학부 조교수 연구분야 전력 변환 회로 구조/제어/EMI 응용 차세대 전력반도체 패키징 응용 전기자동차용 고성능 전력 변환 모바일 디바이스용 초고밀도 전력 변환 서버시스템/데이터센터용 고전류 회로 x 운송 및 컴퓨팅 등 다양한 응용에 쓰이는 전력반도체 및 패키징 기술을 개념 및 예시 위주로 설명합니다.

2026년 1월 27일(화) / 13:00-16:00 / Room B(그랜드볼룸 III), 4층

분야	3D IC
대주제	3D IC를 통한 반도체의 현재와 미래
강연설명	기존의 공정 Scaling을 통한 반도체의 Scaling이 어려워지는 이 시점에서, 3D IC를 통한 한계 극복은 많은 연구개발자들의 주목을 받고 있습니다. 일찍 3D 구조를 채택한 NAND Flash나, HBM과 같은 Stack 구조의 DRAM은 물론이고 Logic과 Memory, Logic과 Logic간의 Stack을 통한 고성능, 고효율 반도체의 개발은 Chiplet이라는 이름과 함께 Main Trend가 되었습니다. 현재의 활용 제품들과 핵심 기술을 살펴보고 미래에 극복해야가야 할 기술 한계들에 대해서 살펴봅니다.
좌장	손교민 마스터 삼성전자 Biography 손교민 마스터 삼성전자 학력 2007 KAIST EECS 박사 1996 연세대학교 전기공학 석사 1994 연세대학교 전기공학 학사 경력 1996~ 삼성전자 근무 2018~ DRAM설계팀 마스터, PIM 개발 2007~2017 DRAM설계팀 책임/수석, DDR4, HBM2 등 개발 1996~2003 SRAM설계팀 주임/선임/책임, SyncSRAM 개발 연구분야 DRAM 설계/검증/응용: DDR/LPDDR/HBM DRAM 설계/검증/응용: DDR/LPDDR/HBM DRAM 신뢰성, CXL-DRAM, 3D 구조 등 x
연사	SC2-1 13:00-14:00 인공지능을 위한 3차원 HBM-HBF 의 통합 구조와 설계 김정호 교수 KAIST Biography 인공지능을 위한 3차원 HBM-HBF 의 통합 구조와 설계 김정호 교수 KAIST 학력 서울대학교 전기공학과 학사 University of Michigan, 박사 경력 1996-현재 / KAIST 전기 및 전자공학과 교수 2017-2019 / KAIST 연구처장 2019-2022 / KAIST AI 대학원 겸임교수 2016-현재 / IEEE Fellow (미국전자공학회 석학회원) 2018-현재 / 삼성전자 산학협력 센터장 2024-현재 / KAIST 시스템아키텍트 대학원 책임교수 연구분야 HBM Design and Architecture HBF Design and Architecture Agentic AI for HBM and HBF Designs Signal and Power Integrity EMI and EMC x 인공지능은 생성형 인공지능, Agentic AI, 시대를 넘어서 Physical AI 시대를 맞이하고 있습니다. 이러한 초거대화 되고 있는 미래 인공지능의 학습과 추론에서 엄청난 양의 컴퓨팅 파워와 메모리 능력이 요구되고 있습니다. 특히 메모리의 대역폭과 용량이 인공지능의 서비스 능력, 품질과 사용자 수를 결정하게 되었습니다. 따라서 앞으로 인공지능 컴퓨터는 초거대 AI 데이터 센터로 집중될 것이고 GPU의 발전 보다는 메모리의 발전이 핵심적 기술 발전 전략이 될 것입니다. 이번 발표에서는 이러한 미래의 초거대 인공지능 개발과 서비스를 위한 고대역폭, 고용량 메모리인 HBM 과 HBF에 대해서 논의할 예정입니다. 특히 인공지능 모델과 동작 분석을 통해서 최적의 HBM(High Bandwidth Memory)-HBF(High Bandwidth Flash) 조합 구조에 대해서 소개하겠습니다. 추가해서 HBDF(High Bandwidth Dynamic Flash)도 소개해 드리겠습니다. 마지막으로 HBM-HBF 3차원 통합 구조를 설명하겠습니다.
	SC2-2 14:00-15:00 Monolithic 3D Integration Enabled by Smart Interconnection 최우영 교수 서울대학교 Biography Monolithic 3D Integration Enabled by Smart Interconnection 최우영 교수 서울대학교 학력 1996년~2000년 서울대학교 공과대학 전기공학부 공학사 2000년~2002년 서울대학교 공과대학 전기컴퓨터공학부 공학석사 2002년~2006년 서울대학교 공과대학 전기컴퓨터공학부 공학박사 경력 2006년~2008년 UC Berkeley EECS 박사후과정 2008년~2022년 서강대학교 전자공학과 정교수 2022년~현재 IEEE EDS Seoul Section Chair 2022년~현재 서울대학교 반도체공동연구소 연구부장/교육부장 연구분야 나노 전자소자 차세대 초저전력/초고집적 로직/아날로그/메모리 소자 3차원 집적 기술 인공지능 / 뇌모방 전자 소자 x This short course provides an introduction to monolithic 3D integration and highlights a practical path toward Smart Interconnection. The course begins with a concise review of the fundamentals and state of the art in monolithic 3D integration, emphasizing the key distinctions from TSV-based and wafer-bonded 3D approaches. Building on this foundation, the course introduces the concept of Smart Interconnection: interconnect schemes and device-interconnect co-design methods that enable new circuit functions when nanoelectromechanical (NEM) devices are co-integrated with CMOS. Unlike conventional interconnects that primarily route signals, Smart Interconnection leverages the unique electrical and mechanical characteristics of NEM elements to realize reconfigurability, ultra-low-leakage operation, embedded switching, and advanced signal-conditioning or isolation capabilities-while remaining compatible with dense monolithic 3D stacking.
	SC2-3 15:00-16:00 Custom HBM 소개 한상욱 수석 삼성전자 AI 시대에 HBM은 핵심부품 중 하나이고, 개별고객사의 요구에 맞추어 맞춤형 제품인 Custom HBM으로 진화하고 있다. 본 강의에서는 Custom HBM이 등장하게 된 배경을 살펴보고 개발 방향에 대해서 소개하고자 한다. 구체적으로 Custom HBM이 표준HBM 대비 갖는 장점을 살펴보고, 동시에 봉착한 난관에 대해서도 설명할 계획이다.

2026년 1월 27일(화) / 13:00-16:00 / Room A(그랜드볼룸 I+II), 4층

분야	차세대 메모리
대주제	차세대 메모리 소자 기술
강연설명	미래 메모리 기술 발전에 있어 핵심으로 주목받고 있는 산화물 반도체 채널과 ferroelectric 기술 및 DRAM의 차세대 기술인 3D DRAM을 소개하여 메모리 소자의 진화 방향을 이해하는데 도움이 되고자 한다.
좌장	김수길 부사장 SK하이닉스 Biography 김수길 부사장 SK하이닉스 학력 서울대학교 재료공학부 박사 (2002) 서울대학교 재료공학부 석사 (1997) 경기대학교 재료공학과 학사 (1991) 경력 SK 하이닉스, 미래기술연구원 (2008~현재) Univ. of Pennsylvania, post-doc (2004~2008) 경원대학교 전자공학과, 연구교수 (2002~2003) 연구분야 차세대 DRAM/NAND 요소기술 Analog compute-in memory향 synapse cell Emerging memory(PCM/ReRAM/STT-MRAM) x
연사	SC3-1 13:00-14:00 Ferroelectric 기반 메모리 응용 기술 구원태 TL SK하이닉스 Biography Ferroelectric 기반 메모리 응용 기술 구원태 TL SK하이닉스 학력 한국과학기술원 신소재공학 박사 (2020) 한국과학기술원 신소재공학 석사 (2016) 한양대학교 신소재공학 학사 (2014) 경력 SK 하이닉스 미래기술연구원 (2020~) MIT 방문 연구원 (2018) UC Irvine 방문 연구원 (2017) 연구분야 Emerging Memory Beyond Memory x Emerging Memory와 Beyond Memory 분야에서 주목받고 있는 다양한 Ferroelectric 기반 메모리 기술의 기본 원리를 설명하고, 주요 응용 기술들을 소개하고자 합니다.
	SC3-2 14:00-15:00 차세대 고집적 DRAM 구현을 위한 3차원 아키텍처 및 산화물 반도체 채널 기술 정재경 교수 한양대학교 Biography 차세대 고집적 DRAM 구현을 위한 3차원 아키텍처 및 산화물 반도체 채널 기술 정재경 교수 한양대학교 학력 서울대학교 무기재료공학과 (1993 ~ 1997) 서울대학교 재료공학부 공학석사 (1997 ~ 1999) 서울대학교 재료공학부 공학박사 (1999 ~ 2002) 경력 한양대학교 융합전자공학부 정교수 (2015 ~ 현재) 한양대학교 융합전자공학부 학부장 (2022 ~ 2024재) 한양대학교 인공지능반도체대학원 학과장 (2023 ~ 현재) SK하이닉스 자문교수 (2022), 삼성디스플레이 자문교수 (2021 ~ 2022) 한양대 디스플레이반도체공학연구소 소장 (2021 ~ 현재) 한국공학한림원 신입회원 (2021 ~ 현재) 국가자문회의 소속 소재부품장비 기술특별위원회 위원 (2019 ~ 2021) 인하대학교 신소재공학부 조/부교수 (2009 ~ 2015) 삼성디스플레이 중앙연구소 책임연구원 (2004 ~ 2009) 연구분야 AMOLED용 Oxide TFT 소자 Oxide Channel-Based DRAM, NAND 소자 CMOS TFT for IoT Stretchable Electronics x DRAM은 지속적인 스케일링을 통해 발전해 왔으나, 채널 미세화에 따른 DIBL 및 누설전류 심화로 BCAT 구조 또한 한계에 직면하고 있다. 무어의 법칙을 지속하기 위해 3차원 수직 구조(3D DRAM)로의 패러다임 전환이 필수적이며, 이에 적합한 다층 증착 가능 물질로 산화물 반도체가 주목받고 있습니다. 본 강연에서는 저온 공정 호환성과 Zero 수준의 누설전류, 우수한 신뢰성을 갖춘 산화물 반도체 기반의 차세대 DRAM 채널 연구 방향과 핵심 이슈를 논의하고자 합니다.
	SC3-3 15:00-16:00 Vertically Stacked 3D DRAM for Next-Generation Memory Technology 김장생 교수 서강대학교 Biography TBA 김장생 교수 서강대학교 학력 2018~2024 서울대학교 전기정보공학부 박사 2014~2018 서울대학교 전기정보공학부 학사 경력 2025~현재 서강대학교 시스템반도체공학과 조교수 2024~2025 Massachusetts Institute of Technology (MIT) 박사후연구원 2024~2024 서울대학교 반도체공동연구소 선임연구원 연구분야 Semiconductor Materials & Devices Flash Memory & Ferroelectric Devices Vertically Stacked Devices & 3D Integration Neuromorphic Computing System x DRAM의 지속적인 scaling down으로 여러 물리적인 한계에 도달했습니다. 본 발표에서는 이를 극복하고 집적도를 극대화하기 위한 3D DRAM 구조와 핵심 공정 기술, 그리고 이에 따른 기술적 과제와 발전 방향을 다룹니다.

2026년 1월 27일(화) / 13:00-17:00 / Room E(에메랄드), 5층

분야	국방반도체
대주제	High-performance and multi-functional semiconductor devices toward defense and military applications
강연설명	무기체계의 안정적인 개발역량 확보 및 군사 안보 보장을 위한 국방반도체 관련 전세계 선도 연구를 초빙하여 고성능/다기능 반도체 소자 동향을 소개하고자 한다
좌장	김대현 교수 경북대학교 Biography 김대현 교수 경북대학교 학력 Seoul National University, 전기 공학, 박사 Seoul National University, 전기 공학, 석사 Kyungpook National University, 전자 공학, 학사 경력 경북대학교 전자공학부, 교수 Sematech, Manager Teledyne Scientific Company, Sr MTS 연구분야 초고속/저잡음 반도체 소자 (InP) 고출력 반도체 소자 (GaN) 반도체 소자 물리적 모델링 극한환경 소자 거동 해석 x
연사	SC4-1 13:00-14:00 Sub-THz Power amplifiers with III-V transistors Prof. Mark Rodwell USCB Biography Sub-THz Power amplifiers with III-V transistors Prof. Mark Rodwell USCB Education B.S. Electrical Engineering, University of Tennessee (1980). M.S. Electrical Engineering, Stanford University (1982). Ph.D. Electrical Engineering, Stanford University (1988). Work Experience Member of Technical Staff, AT&T Bell Laboratories (1981-1984) Postdoctoral Research Associate, Stanford University (1987-1988) Assistant Professor, University of California, Santa Barbara (1988-1992) Associate Professor, University of California, Santa Barbara (1992-1996) Professor, University of California, Santa Barbara (1996-present) Research Interests IC design above 50 GHz in Silicon and III-V IC technologies, THz InP bipolar transistors, THz III-V MOSFETs, and mm-wave wireless communications system design. x
	SC4-2 14:00-15:00 Epitaxy of Ultra-High-Speed InP-based Transistors for Wireless/Optical Communication Systems Dr. Takuya Hoshi NTT Biography Epitaxy of Ultra-High-Speed InP-based Transistors for Wireless/Optical Communication Systems Dr. Takuya Hoshi NTT Education B.S. University of Tsukuba (2003~2007). M.S. Department of Applied Physics, School of Engineering, Tohoku University (2007~2009). Ph.D. Department of Nano-Science and Nano-Technology, University of Tsukuba (2014~2015). Work Experience Device Technology Laboratories, NTT, Inc. (2009~now). Research Interests The epitaxy and fabrication of high-speed and high power III-V electron devices for the application in optical/wireless communication systems, including InP-based HBTs and HEMTs, and GaN-channel HEMTs. x
	SC4-3 15:00-16:00 GaN Power HEMTs: charge trapping and reliability-limiting phenomena Prof. Gaudenzio Meneghesso Padova Univ. Biography GaN Power HEMTs: charge trapping and reliability-limiting phenomena Prof. Gaudenzio Meneghesso Padova Universtiy Education PhD Electrical and Telecommunication Engineering, University of Padova (1997) B.S. Electronics Engineering, University of Padova (1992) Work Experience Director of the Information Engineering Department, Università degli Studi di Padova Member of the “Advance Characterization and Modeling of Electronics” Group (ACME) Member of the “Advance Characterization and Modeling of Electronics” Group (ACME) Project Coordinator: H2020 InRel-NPower Scientific Coordinator: ECSEL GaN4AP Research Interests Power devices on wide bandgap semiconductors (GaN, SiC), Microwave and optoelectronics devices on III-V and III-N, RF-MEMS switches for reconfigurable antenna arrays, Electrostatic discharge (ESD) protection structures, organic semiconductors devices, photovoltaic solar cells based on various materials. x
	SC4-4 16:00-17:00 Reliable GaN-on-SiCDevice Technology for X-band to E-band Applications Sr.Manager Keiichi Matsushita WIN Biography Reliable GaN-on-SiCDevice Technology for X-band to E-band Applications Sr.Manager Keiichi Matsushita WIN Education B.S. Electronics Engineering, Shizuoka University Japan (1991) M.S. Electrical Engineering, Shizuoka University Japan (1993) Work Experience Senior department manager RF GaN device in WIN Semiconductors, TAIWAN. (2018-present) Chief specialist at Microwave department of TOSHIBA, JAPAN. (1997-2018) Researcher at R&D Center of TOSHIBA, JAPAN. (1993-1997) Research Interests High frequency (over Ku-band) and High power device design for GaAs and GaN HEMTs, Device fabrication process, Characterization, Reliability x