프로그램
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2026년 1월 27일(화) / 13:00-16:00

분야	Power IC 반도체
대주제	Power IC 반도체의 이해와 기술 발전
강연설명	Power IC 반도체의 기본 원리와 응용을 소개하고, BCD 공정 기술, Power IC, 전력변환 모듈을 중심으로 최신 기술 발전 동향을 살펴봅니다. 이를 통해 참가자들이 Power IC 반도체의 핵심 기술을 폭넓게 이해하고 연구 및 개발에 적용할 수 있도록 돕고자 합니다.
좌장	차호영 교수 홍익대학교 Biography 차호영 교수 홍익대학교 학력 Cornell University, Electrical and Computer Engineering, 박사 (2004. 05) 서울대학교 전기공학부 석사 (1999. 02) 서울대학교 전기공학부 학사 (1996. 08) 경력 홍익대학교 전자전기공학부 교수 (2007년 - 현재) (주)칩스케이 CTO (2017년 - 현재) GE Global Research 연구원 (2005 - 2007) Cornell University 박사후연구원 (2004 - 2005) 연구분야 Wide bandgap 전력반도체 Wide bandgap RF 소자 Wide bandgap 센서 x
연사	Power IC 공정과 주요 기술 요구 사항 최용건 상무 DB하이텍 Biography Power IC 공정과 주요 기술 요구 사항 최용건 상무 DB하이텍 학력 1996~1998 서울대학교 무기재료공학 석사 1992~1996 서울대학교 무기재료공학 학사 경력 1998~ DB하이텍 근무 연구분야 Bipolar-CMOS-DMOS process & device development x BCD(Biplar-CMOS-DMOS) 공정에서 제공되는 주요 소자의 기술 요구 사항과 최근 통합되고 있는 특별한 옵션 공정에 대해 소개합니다.
	Automotive 및 Data Center 향 PMIC 설계 트렌드 홍성완 교수 서강대학교 Biography Automotive 및 Data Center 향 PMIC 설계 트렌드 홍성완 교수 서강대학교 학력 2011 - 2014: 한국과학기술원 박사 2009 - 2011: 한국과학기술원 석사 2005 - 2009: 고려대학교 학사 경력 2021 - 현재: 서강대학교 조/부교수 2017 - 2021: 숙명여자대학교 조교수 2014 - 2017: 삼성전자 책임연구원 연구분야 Power Management IC Design Energy Harvesting Wireless Power Transfer Gate Driver for IGBT, SiC, and GaN x 최근 전기차 및 데이터 센터에서 소비되는 전력량이 증가됨에 따라, 이에 맞춰 PMIC에도 새로운 관점에서의 접근이 필요합니다. 본 발표에서는 해당 배경 및 접근 방식에 대해 소개합니다.
	신종원 교수 서울대학교

2026년 1월 27일(화) / 13:00-16:00

분야	3D IC
대주제	3D IC를 통한 반도체의 현재와 미래
강연설명	기존의 공정 Scaling을 통한 반도체의 Scaling이 어려워지는 이 시점에서, 3D IC를 통한 한계 극복은 많은 연구개발자들의 주목을 받고 있습니다. 일찍 3D 구조를 채택한 NAND Flash나, HBM과 같은 Stack 구조의 DRAM은 물론이고 Logic과 Memory, Logic과 Logic간의 Stack을 통한 고성능, 고효율 반도체의 개발은 Chiplet이라는 이름과 함께 Main Trend가 되었습니다. 현재의 활용 제품들과 핵심 기술을 살펴보고 미래에 극복해야가야 할 기술 한계들에 대해서 살펴봅니다.
좌장	손교민 마스터 삼성전자 Biography 손교민 마스터 삼성전자 학력 2007 KAIST EECS 박사 1996 연세대학교 전기공학 석사 1994 연세대학교 전기공학 학사 경력 1996~ 삼성전자 근무 2018~ DRAM설계팀 마스터, PIM 개발 2007~2017 DRAM설계팀 책임/수석, DDR4, HBM2 등 개발 1996~2003 SRAM설계팀 주임/선임/책임, SyncSRAM 개발 연구분야 DRAM 설계/검증/응용: DDR/LPDDR/HBM DRAM 설계/검증/응용: DDR/LPDDR/HBM DRAM 신뢰성, CXL-DRAM, 3D 구조 등 x
연사	김정호 교수 KAIST
	최우영 교수 서울대학교
	Custom HBM 소개 한상욱 수석 삼성전자 AI 시대에 HBM은 핵심부품 중 하나이고, 개별고객사의 요구에 맞추어 맞춤형 제품인 Custom HBM으로 진화하고 있다. 본 강의에서는 Custom HBM이 등장하게 된 배경을 살펴보고 개발 방향에 대해서 소개하고자 한다. 구체적으로 Custom HBM이 표준HBM 대비 갖는 장점을 살펴보고, 동시에 봉착한 난관에 대해서도 설명할 계획이다.

2026년 1월 27일(화) / 13:00-16:00

분야	차세대 메모리
대주제	차세대 메모리 소자 기술
강연설명	미래 메모리 기술 발전에 있어 핵심으로 주목받고 있는 산화물 반도체 채널과 ferroelectric 기술 및 DRAM의 차세대 기술인 3D DRAM을 소개하여 메모리 소자의 진화 방향을 이해하는데 도움이 되고자 한다.
사회자	김수길 부사장 SK하이닉스 Biography 김수길 부사장 SK하이닉스 학력 서울대학교 재료공학부 박사 (2002) 서울대학교 재료공학부 석사 (1997) 경기대학교 재료공학과 학사 (1991) 경력 SK 하이닉스, 미래기술연구원 (2008~현재) Univ. of Pennsylvania, post-doc (2004~2008) 경원대학교 전자공학과, 연구교수 (2002~2003) 연구분야 차세대 DRAM/NAND 요소기술 Analog compute-in memory향 synapse cell Emerging memory(PCM/ReRAM/STT-MRAM) x
연사	Ferroelectric 기반 메모리 응용 기술 구원태 TL SK하이닉스 Biography Ferroelectric 기반 메모리 응용 기술 구원태 TL SK하이닉스 학력 한국과학기술원 신소재공학 박사 (2020) 한국과학기술원 신소재공학 석사 (2016) 한양대학교 신소재공학 학사 (2014) 경력 SK 하이닉스 미래기술연구원 (2020~) MIT 방문 연구원 (2018) UC Irvine 방문 연구원 (2017) 연구분야 Emerging Memory Beyond Memory x Emerging Memory와 Beyond Memory 분야에서 주목받고 있는 다양한 Ferroelectric 기반 메모리 기술의 기본 원리를 설명하고, 주요 응용 기술들을 소개하고자 합니다.
	정재경 교수 한양대학교
	TBA 김장생 교수 서강대학교 Biography TBA 김장생 교수 서강대학교 학력 2018~2024 서울대학교 전기정보공학부 박사 2014~2018 서울대학교 전기정보공학부 학사 경력 2025~현재 서강대학교 시스템반도체공학과 조교수 2024~2025 Massachusetts Institute of Technology (MIT) 박사후연구원 2024~2024 서울대학교 반도체공동연구소 선임연구원 연구분야 Semiconductor Materials & Devices Flash Memory & Ferroelectric Devices Vertically Stacked Devices & 3D Integration Neuromorphic Computing System x DRAM의 지속적인 scaling down으로 여러 물리적인 한계에 도달했습니다. 본 발표에서는 이를 극복하고 집적도를 극대화하기 위한 3D DRAM 구조와 핵심 공정 기술, 그리고 이에 따른 기술적 과제와 발전 방향을 다룹니다.

2026년 1월 27일(화) / 13:00-16:00

분야	TBA
대주제	TBA
강연설명	TBA
사회자	김대현 교수 경북대학교
패널리스트	KCS 2026 준비중입니다