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Home > ´ëȸ°³¿ä > Á¶Á÷±â±¸ > ºÐ°úÀ§¿øȸ |
ºÐ°ú ¸í |
ºÐ°úÀ§¿øÀå |
°øµ¿ºÐ°úÀ§¿øÀå |
ºÐ°úÀ§¿ø |
A.
Interconnect &
Package
ºÐ°ú |
±èÇüÁØ ±³¼ö
(¿¬¼¼´ëÇб³) |
¾ÈÀºÃ¶ ¹Ú»ç
(»ï¼ºÀüÀÚ) |
°û³ëÁ¤(ÇÏÀ̴нº¹ÝµµÃ¼),
±è¼öÇö(¿µ³²´ëÇб³),
¹Ú¿µ¹è(¾Èµ¿´ëÇб³),
ÀÌ¿øÁØ(¼¼Á¾´ëÇб³),
ÀÌÇö´ö(»ï¼ºÀüÀÚ),
ÁÖ¿µÃ¢(¼¿ï´ëÇб³),
|
±è±¸¼º(°³²´ëÇб³),
±è½Ã¹ü(¸Å±×³ªÄ¨¹ÝµµÃ¼),
¼ÕÇöö(¿¬¼¼´ëÇб³),
ÀÌÅÂÀ±(¿¬¼¼´ëÇб³),
ÀÌÈÄÁ¤(¼º±Õ°ü´ëÇб³),
ȲÅÂÁÖ(»ï¼ºÀüÀÚ) |
B.
Patterning
ºÐ°ú |
¾çÇöÁ¶ ¹Ú»ç
(ÇÏÀ̴нº¹ÝµµÃ¼) |
±è°ïÈ£ ±³¼ö
(¼¿ï´ëÇб³) |
±è¿ëÁø(»ï¼ºÀüÀÚ),
¾Èâ³²(ASML),
À¯¿øÁ¾(¼º±Õ°ü´ëÇб³),
Á¤Áø±â(ÇÏÀ̴нº¹ÝµµÃ¼),
|
±èÇö¿ì(ÀÎÇÏ´ëÇб³),
¿À¿ëÈ£(¿ø±¤´ëÇб³),
À̽°É(ÀÎÇÏ´ëÇб³),
ȲÂù(»ï¼ºÀüÀÚ) |
C.
Material
Growth &
Characterization
ºÐ°ú |
±è¼ºº¹ ¹Ú»ç
(Çѱ¹ÀüÀÚÅë½Å¿¬±¸¿ø) |
¹ÚÁø¼· ±³¼ö
(ÇѾç´ëÇб³) |
±Ç¼ø¿ë(UNIST),
¼ÛÁøµ¿(KAIST),
ÀÌÁرâ(Àü³²´ëÇб³),
Àü¹ÎÇö(ÀÎÁ¦´ëÇб³),
|
±è¹®´ö(Ãæ³²´ëÇб³),
ÀÌ»óÁØ(Çѱ¹Ç¥ÁØ°úÇבּ¸¿ø),
ÀÌö·Î(ÀüºÏ´ëÇб³),
Á¶¿ëÈÆ(KAIST) |
D.
Thin Film
Process
Technology
ºÐ°ú |
ÃÖ¸®³ë ±³¼ö
(ÀÎÇÏ´ëÇб³) |
Ȳ±âÇö ¹Ú»ç
(»ï¼ºÀüÀÚ) |
±èÇü¼·(¼º±Õ°ü´ëÇб³),
¹ÚÅÂÁÖ(ÇѾç´ëÇб³),
À̳»ÀÀ(¼º±Õ°ü´ëÇб³),
Àü»óÈÆ(»ï¼ºÁ¾ÇÕ±â¼ú¿ø),
ÃÖâȯ(ÇѾç´ëÇб³) |
¹Î¿ä¼Á(°Ç±¹´ëÇб³),
À±¼º¹Î(°æÈñ´ëÇб³),
ÀÌ»ó·Ä(Çѱ¹°úÇбâ¼ú¿¬±¸¿ø),
Á¶¿µÁø(»ï¼ºÁ¾ÇÕ±â¼ú¿ø),
|
E.
Compound
semiconductors
ºÐ°ú |
¹Îº´±Ô ¹Ú»ç
(Çѱ¹ÀüÀÚÅë½Å¿¬±¸¿ø) |
°ûÁؼ· ±³¼ö
(¼øõ´ëÇб³) |
±èÁ¦¿ø(»ï¼ºLED)
±èűÙ(°í·Á´ëÇб³),
½É±Ôȯ(ÀüºÏ´ëÇб³),
À±Çü¼·(Çѱ¹ÀüÀÚÅë½Å¿¬±¸¿ø),
ÀÌÁ¤Èñ(°æºÏ´ëÇб³),
ÀÓÁ¾¿ø(Çѱ¹ÀüÀÚÅë½Å¿¬±¸¿ø),
Â÷È£¿µ(È«ÀÍ´ëÇб³) |
±èÁ¾±Ô(Æ÷Ç×°ø°ú´ëÇб³),
¹®Àç°æ(Çѱ¹ÀüÀÚÅë½Å¿¬±¸¿ø),
À¯Àç¼ö(°æÈñ´ëÇб³),
ÀÌ¿ø»ó(³ª³ëÀÌ¿£¿¡½º),
ÀÌÁ¾¶÷(Æ÷Ç×°ø°ú´ëÇб³),
ÀåÅÂÈÆ(LGÀüÀÚ),
|
F.
Silicon Device
and
Integration
Technology
ºÐ°ú |
À̺´ÈÆ ±³¼ö
(±¤ÁÖ°úÇбâ¼ú¿ø) |
À̳»ÀÎ ¹Ú»ç
(»ï¼ºÀüÀÚ) |
³ëŹ®(Çѱ¹ÀüÀÚÅë½Å¿¬±¸¿ø),
½Åµ¿¼®(»ï¼ºÀüÀÚ),
¾çÁö¿î(°í·Á´ëÇб³),
ÀÌÁ¾È£(¼¿ï´ëÇб³),
|
ÀÌÃæÈ£(»ï¼ºÀüÀÚ),
Á¤¼º¿õ(ÇÏÀ̴нº¹ÝµµÃ¼),
Á¶¿ë¼ö(µ¿ºÎÇÏÀÌÅØ) |
G.
Device & Process
Modeling,
Simulation and
Reliability
ºÐ°ú |
À̼ºÇö ±³¼ö
(Çѱ¹¿Ü±¹¾î´ëÇб³) |
ÀÌ»ó±â ¹Ú»ç
(µ¿ºÎÇÏÀÌÅØ) |
±è´ëȯ(±¹¹Î´ëÇб³),
½Å¹Îö(KAIST),
ÀÌÁ¤¼ö(Æ÷Ç×°ø°ú´ëÇб³),
ÃÖÀçÈÆ(ÇÏÀ̴нº¹ÝµµÃ¼),
|
¹ÚÂùÇü(±¤¿î´ëÇб³),
ÀÌÀç±Ô(»ï¼ºÀüÀÚ),
Á¶Àοí(ÇÏÀ̴нº¹ÝµµÃ¼),
Ȳ¼ºº¸(¸Å±×³ªÄ§¹ÝµµÃ¼) |
H.
Display and Imaging Technologies
ºÐ°ú |
È«¹®Ç¥ ±³¼ö
(°í·Á´ëÇб³) |
¸ð¿¬°ï ¹Ú»ç
(»ï¼ºSMD) |
°È£Ã¶(LG µð½ºÇ÷¹ÀÌ),
±ÇÀåÇõ(°æÈñ´ëÇб³),
±èÀçÈÆ(ÇѾç´ëÇб³),
¹®Ã¶Èñ(È£¼´ëÇб³),
¹Ú»óÈñ(Çѱ¹ÀüÀÚÅë½Å¿¬±¸¿ø),
ÀÌ¿ìÀç(»ï¼ºÀüÀÚ),
Á¤Àç°æ(ÀÎÇÏ´ëÇб³),
ÃÖº´´ö(ÇѾç´ëÇб³),
È«¿Ï½Ä(¼¿ï½Ã¸³´ëÇб³) |
±¸º»¿ø(»ï¼ºÀüÀÚÁ¾ÇÕ±â¼ú¿ø),
±è¿µ¼®(ÀüÀÚºÎÇ°¿¬±¸¿ø),
³ë¿ë¿µ(Çѹç´ëÇб³),
¹èº´¼º(È£¼´ëÇб³),
¼ÛÁ¤±Ù(µ¿¾Æ´ëÇб³),
À̽¿ì(°æÈñ´ëÇб³),
Á¶Á¤´ë(Çѱ¹±â°è¿¬±¸¼Ò),
Áøº´µÎ(´Ü±¹´ëÇб³),
È«¿ëÅÃ(¼¿ï´ëÇб³)
|
I.
MEMS & Sensors
ºÐ°ú |
¿À¿ë¼ö ¹Ú»ç
(»ï¼ºÀü±â) |
¹®¼º¿í ¹Ú»ç
(Çѱ¹°úÇбâ¼ú¿¬±¸¿ø) |
°°üÇü(Æ÷Ç×°ø°ú´ëÇб³),
±èµ¿Çö(¿¬¼¼´ëÇб³),
³²È¿Áø(LG Á¾ÇÕ±â¼ú¿ø),
½ÅÇüÀç(»ï¼ºÀüÀÚ),
À±Áغ¸(KAIST),
ÀÌÁ¾Çö(±¤ÁÖ°úÇбâ¼ú¿ø),
Á¶¼ºº¸(°¡ÃµÀÇ´ë),
Çѽ¿À(È£¼´ëÇб³) |
°ø¼ºÈ£(°æºÏ´ëÇб³),
±è¿µ¹Î(È«ÀÍ´ëÇб³),
ºÎÁ¾¿í(SenPlus),
¾ç»ó½Ä(¾ÆÁÖ´ëÇб³),
ÀÌ»ó¿ì(¿¬¼¼´ëÇб³),
Àå¿øÀÍ(Çѱ¹ÀüÀÚÅë½Å¿¬±¸¿ø),
ÁÖº´±Ç(°í·Á´ëÇб³),
|
J.
Nano-Science &
Technology
ºÐ°ú |
Á¶¹®È£ ±³¼ö
(Æ÷Ç×°ø°ú´ëÇб³) |
½ÅÀ籤 ¹Ú»ç
(»ï¼ºÁ¾ÇÕ±â¼ú¿ø) |
°±â¼®(¼¿ï´ëÇб³),
±è»ó¿í(KAIST),
¹Úö¹Î(¿¬¼¼´ëÇб³),
ÀÌŹÈñ(±¤ÁÖ°úÇбâ¼ú¿ø),
ÀÌÇö¿ì(Æ÷Ç×°ø°ú´ëÇб³),
|
±è¿õ(°í·Á´ëÇб³),
ºÎ°æÈ£(ƯÇãû),
¾ÈÁ¾Çö(¼º±Õ°ü´ëÇб³),
ÀÌ¿ì(Çѱ¹Ç¥ÁØ°úÇבּ¸¿ø),
Á¤Àοµ(±¤¿î´ëÇб³) |
K.
Memory
(Design & Process
Technology)
ºÐ°ú |
Á¶¿ì¿µ ¹Ú»ç
(»ï¼ºÀüÀÚ) |
¹Î°æ½Ä ±³¼ö
(±¹¹Î´ëÇб³) |
°Èñº¹(ÇÏÀ̴нº¹ÝµµÃ¼),
°ûµ¿È(»ï¼ºÀüÀÚ),
±è¿ë±â(ÇÏÀ̴нº¹ÝµµÃ¼),
ÃÖ¿µµ·(»ï¼ºÀüÀÚ),
È«±Ç(ÇÏÀ̴нº¹ÝµµÃ¼),
|
°ø¹è¼±(¼º±Õ°ü´ëÇб³),
±è¿µÈñ(â¿ø´ëÇб³),
Á¶¼ºÀÍ(ÀüºÏ´ëÇб³),
Ãֿ쿵(¼°´ëÇб³),
È«»óÈÆ(°æÈñ´ëÇб³) |
L.
Analog Design
ºÐ°ú |
¹®¿ë ±³¼ö
(¼þ½Ç´ëÇб³) |
°íÁø¼® ¹Ú»ç
(µ¿ºÎÇÏÀÌÅØ) |
±è¼öȯ(¼¿ï´ëÇб³),
³ëÁ¤Áø(ÇѾç´ëÇб³),
¹Úº´ÇÏ(»ï¼ºÀüÀÚ),
¹é±¤Çö(Áß¾Ó´ëÇб³),
½ÉÀçÀ±(Æ÷Ç×°ø°ú´ëÇб³),
À¯Ã¢½Ä(ÇѾç´ëÇб³),
ÀÌÀ±½Ä(ÀüÀÚºÎÇ°¿¬±¸¿ø),
ÀÌÁ¾¿í(°æÈñ´ëÇб³),
ÀÓ½ÅÀÏ(¼°æ´ëÇб³),
ÇÑ°ÇÈñ(¿¬¼¼´ëÇб³),
|
±è½ÃÈ£(¿¬¼¼´ëÇб³),
·ù½ÂŹ(KAIST),
¹Ú¿ëÀÎ(µ¿ºÎÇÏÀÌÅØ),
¼Û¹Î±Ô(µ¿±¹´ëÇб³),
¾È±æÃÊ(¼°´ëÇб³),
À±±¤¼·(ÀÎÇÏ´ëÇб³),
À̽ÂÈÆ(¼°´ëÇб³),
ÀÎÇØÁ¤(ÇѾç´ëÇб³),
ÃÖÁßÈ£(¼¿ï½Ã¸³´ëÇб³),
È«±¹ÅÂ(LGÀüÀÚ) |
M.
RF Design
ºÐ°ú |
ÀÌÀ缺 ±³¼ö
(°í·Á´ëÇб³) |
¹ÚÁØ¹è ¹Ú»ç
(GCT ¼¼¹ÌÄÁ´öÅÍ) |
±è¿µÁø(Çѱ¹Ç×°ø´ëÇб³),
±èÈ«µæ(LG ÀüÀÚ±â¼ú¿ø),
¹Ú¼º¹Î(ÀÌÈ¿©ÀÚ´ëÇб³),
¹üÁø¿í(¼°´ëÇб³),
¿Õ¼ºÈ£(Radio Pulse),
ÀÌ°À±(°Ç±¹´ëÇб³),
ÀÌÁ¾Ã¶(±¤¿î´ëÇб³),
Ãֿ쿵(¿¬¼¼´ëÇб³) |
±èÅ¿í(¿¬¼¼´ëÇб³),
³²Àϱ¸(ºÎ»ê´ëÇб³),
¹éµ¿Çö(Áß¾Ó´ëÇб³),
¼Ã¶Çå(¼þ½Ç´ëÇб³),
À¯Çö±Ô(Çѱ¹ÀüÀÚÅë½Å¿¬±¸¿ø),
ÀÌ»ó±¹(KAIST),
Á¶¼ºÈ¯(KAIST),
|
N.
VLSI CAD
ºÐ°ú |
À¯½ÂÁÖ ±³¼ö
(Æ÷Ç×°ø°ú´ëÇб³) |
½Å¿µ¼ö ±³¼ö
(KAIST) |
±èÁöÈÆ(Ãæ³²´ëÇб³)
ÀÌÁ¾Àº(UNIST),
Àå·¡Çõ(¼¿ï´ëÇб³),
ÃÖÁ¤¿¬(»ï¼ºÀüÀÚ),
|
±èÅÂȯ(¼¿ï´ëÇб³),
À±¼º·Î(°í·Á´ëÇб³),
Á¤ÀÇ¿µ(¿¬¼¼´ëÇб³),
|
O.
System LSI Design
ºÐ°ú |
°øÁØÁø ¹Ú»ç
(»ï¼ºÀüÀÚ) |
ÀÌÇÑÈ£ ±³¼ö
(ÀÎÇÏ´ëÇб³) |
±èÁø»ó(°æÈñ´ëÇб³),
±èÁÖÈ£(¼°´ëÇб³),
¹ÚÀåÇö(Çѱ¹ÀüÀÚÅë½Å¿¬±¸¿ø),
À̱¤¿±(¼°æ´ëÇб³),
ÀÌÀçÁø(¼¿ï´ëÇб³),
ÀÌÁø¾ð(»ï¼ºÀüÀÚ),
ÀÓ¸í¼·(ÀüºÏ´ëÇб³),
ÃÖ¿µÈ£(°Ç±¹´ëÇб³),
|
±è¼ºµ¿(ÀüÀÚºÎÇ°¿¬±¸¿ø),
±èÅÂÂù(»ï¼ºÀüÀÚ),
¹ÚÁ¾¼±(°í·Á´ëÇб³),
ÀÌÂùÈ£(¼þ½Ç´ëÇб³),
Á¤±â¼®(ÇѾç´ëÇб³),
Á¶°æ·Ï(ÃæºÏ´ëÇб³),
Ãֱ⿵(¼¿ï´ëÇб³),
È«À¯Ç¥(µ¿±¹´ëÇб³) |
P.
Device for
Energy
ºÐ°ú |
¸íÀç¹Î ±³¼ö
(¿¬¼¼´ëÇб³) |
±èÀ±±â ¹Ú»ç
(»ï¼ºÀüÀÚ) |
±èÁ¤(¼¼Á¾´ëÇб³),
¹Ú¼º±â(LG µð½ºÇ÷¹ÀÌ),
À̵ο(»ï¼ºÀüÀÚ),
Àμö°(»ï¼ºÁ¾ÇÕ±â¼ú¿ø),
Á¼ºÈÆ(¼¿ï»ê¾÷´ëÇб³),
|
±è¿µÈ¯(Çѱ¹°úÇбâ¼ú¿¬±¸¿ø),
À¯ÀαÔ(Çѱ¹ÀüÀÚÅë½Å¿¬±¸¿ø),
ÀÌâÈñ(¼¿ï´ëÇб³),
Á¤ÁØÈ£(Çѱ¹±â°è¿¬±¸¿ø),
ȲâÈÆ(Teliosolar) |
Q.
Metrology,
Inspection,
and Yield
Enhancement
ºÐ°ú |
À̺´È£ ¹Ú»ç
(»ï¼ºÀüÀÚ) |
±èÁø½Â ±³¼ö
(ÀüºÏ´ëÇб³) |
±è¿µ¿î(¼¿ï´ëÇб³),
±èÈ£¼·(¼±¹®´ëÇб³),
¹è¿¬È£(KLA-Tencor),
¾çÁظð(³ª³ëÁ¾ÇÕÆÔ),
À¯Çü¿ø(ÇÏÀ̴нº¹ÝµµÃ¼),
ÀÓ¼±Á¾(Çѱ¹±â°è¿¬±¸¿ø),
Àå¿ø±Ô(LG µð½ºÇ÷¹ÀÌ),
Á¶¿ëÀç(Çѱ¹Ç¥ÁØ°úÇבּ¸¼Ò),
|
±èÀç»ï(Nanometrics),
¹Úº´Ãµ(Çѱ¹Ç¥ÁØ°úÇבּ¸¼Ò),
¾ÈÀϽÅ(ÇѾç´ëÇб³),
¿À½Âö(SNUprecision),
À̼ºÀç(Ãæ³²´ëÇб³),
ÀÓÀç¿ø(AUROS Technology),
Á¤¼¼±¤(µ¿ºÎÇÏÀÌÅØ),
Â÷º´Ã¶(»ï¼ºÀüÀÚ) |
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