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´ëȸ°³¿ä > Á¶Á÷±â±¸ > ºÐ°úÀ§¿øȸ
ºÐ°ú¸í ºÐ°úÀ§¿ø
A. Interconnect & Package - À§¿øÀå : ±èÇüÁØ(¿¬¼¼´ëÇб³)
- °øµ¿À§¿øÀå: ȲÅÂÁÖ(»ï¼ºÀüÀÚ)
- À§ ¿ø : °û³ëÁ¤(ÇÏÀ̴нº¹ÝµµÃ¼), ±è±¸¼º(°­³²´ëÇб³),
±è¼öÇö(¿µ³²´ëÇб³), ±è½Ã¹ü(¸Å±×³ªÄ¨¹ÝµµÃ¼),
¹Ú¿µ¹è(¾Èµ¿´ëÇб³), ¼ÕÇöö(¿¬¼¼´ëÇб³),
¾ÈÀºÃ¶(»ï¼ºÀüÀÚ), ÀÌ¿øÁØ(¼¼Á¾´ëÇб³),
ÀÌÅÂÀ±(¿¬¼¼´ëÇб³), ÀÌ¿õ¼±(SKÇÏÀ̴нº),
ÀÌÈÄÁ¤(¼º±Õ°ü´ëÇб³), ÁÖ¿µÃ¢(¼­¿ï´ëÇб³)
 
B. Patterning - À§¿øÀå : ¾çÇöÁ¶(ÇÏÀ̴нº¹ÝµµÃ¼)
- °øµ¿À§¿øÀå: À̽°É(ÀÎÇÏ´ëÇб³)
- À§ ¿ø : ½Å°æ¼·(»ï¼ºÀüÀÚ), ±èÇö¿ì(ÇѾç´ëÇб³),
¾Èâ³²(ASML), ¿À¿ëÈ£(¿ø±¤´ëÇб³),
À¯¿øÁ¾(¼º±Õ°ü´ëÇб³), ¾ÈÁøÈ£(ÇѾç´ëÇб³),
Á¤Áø±â(ÇÏÀ̴нº¹ÝµµÃ¼), Ȳ Âù(»ï¼ºÀüÀÚ)
 
C. Material Growth & Characterization - À§¿øÀå : ±è¼ºº¹(Çѱ¹ÀüÀÚÅë½Å¿¬±¸¿ø)
- °øµ¿À§¿øÀå: ¹ÚÁø¼·(ÇѾç´ëÇб³)
- À§ ¿ø : ±Ç¼ø¿ë(UNIST), ±è¹®´ö(Ãæ³²´ëÇб³), ¼ÛÁøµ¿(KAIST),
ÀÌ»óÁØ(Çѱ¹Ç¥ÁØ°úÇבּ¸¿ø), ÀÌÁرâ(Àü³²´ëÇб³),
ÀÌö·Î(ÀüºÏ´ëÇб³), Àü¹ÎÇö(ÀÎÁ¦´ëÇб³), Á¶¿ëÈÆ(KAIST)
 
D. Thin Film Technology - À§¿øÀå : ÃÖ¸®³ë(ÀÎÇÏ´ëÇб³)
- °øµ¿À§¿øÀå: Ȳ±âÇö(»ï¼ºÀüÀÚ)
- À§ ¿ø : ±èÇü¼·(¼º±Õ°ü´ëÇб³), ¹Î¿ä¼Á(°Ç±¹´ëÇб³),
¹ÚÅÂÁÖ(ÇѾç´ëÇб³), À±¼º¹Î(°æÈñ´ëÇб³),
Àü»óÈÆ(»ï¼ºÁ¾ÇÕ±â¼ú¿ø), Á¶¿µÁø(»ï¼ºÁ¾ÇÕ±â¼ú¿ø),
ÃÖâȯ(ÇѾç´ëÇб³)
 
E. Compound Semiconductors - À§¿øÀå : ¹Îº´±Ô(Çѱ¹ÀüÀÚÅë½Å¿¬±¸¿ø)
- °øµ¿À§¿øÀå: °ûÁؼ·(¼øõ´ëÇб³)
- À§ ¿ø : ±èÁ¦¿ø(»ï¼ºLED), ±èÁ¾±Ô(Æ÷Ç×°ø°ú´ëÇб³),
±èűÙ(°í·Á´ëÇб³), ¹®Àç°æ(Çѱ¹ÀüÀÚÅë½Å¿¬±¸¿ø),
½É±Ôȯ(ÀüºÏ´ëÇб³), À¯Àç¼ö(°æÈñ´ëÇб³),
À±Çü¼·(Çѱ¹ÀüÀÚÅë½Å¿¬±¸¿ø), ÀÌ¿ø»ó(³ª³ëÀÌ¿£¿¡½º),
ÀÌÁ¤Èñ(°æºÏ´ëÇб³), ÀÌÁ¾¶÷(Æ÷Ç×°ø°ú´ëÇб³),
ÀÓÁ¾¿ø(Çѱ¹ÀüÀÚÅë½Å¿¬±¸¿ø), ÀåÅÂÈÆ(LGÀüÀÚ),
Â÷È£¿µ(È«ÀÍ´ëÇб³)
 
F. CMOS Device &
Process Technology
- À§¿øÀå : À̺´ÈÆ(±¤ÁÖ°úÇбâ¼ú¿ø)
- °øµ¿À§¿øÀå: À̳»ÀÎ(»ï¼ºÀüÀÚ)
- À§ ¿ø : ³ëŹ®(Çѱ¹ÀüÀÚÅë½Å¿¬±¸¿ø), ½Åµ¿¼®(»ï¼ºÀüÀÚ),
¾çÁö¿î(°í·Á´ëÇб³), ÀÌÁ¾È£(¼­¿ï´ëÇб³),
ÀÌÃæÈ£(»ï¼ºÀüÀÚ), Á¤¼º¿õ(ÇÏÀ̴нº¹ÝµµÃ¼),
Á¶¿ë¼ö(µ¿ºÎÇÏÀÌÅØ), Ãֿ쿵(¼­°­´ëÇб³)
 
G. Device & Process Modeling,
Simulation and Reliability
- À§¿øÀå : À̼ºÇö(Çѱ¹¿Ü±¹¾î´ëÇб³)
- °øµ¿À§¿øÀå: ÀÌ»ó±â(µ¿ºÎÇÏÀÌÅØ)
- À§ ¿ø : ±è´ëȯ(±¹¹Î´ëÇб³), ¹ÚÂùÇü(±¤¿î´ëÇб³), ½Å¹Îö(KAIST),
ÀÌÀç±Ô(»ï¼ºÀüÀÚ), ÀÌÁ¤¼ö(Æ÷Ç×°ø°ú´ëÇб³),
Á¶Àοí(ÇÏÀ̴нº¹ÝµµÃ¼), ÃÖÀçÈÆ(ÇÏÀ̴нº¹ÝµµÃ¼),
Ȳ¼ºº¸(¸Å±×³ªÄ§¹ÝµµÃ¼)
 
H. Display and
Imaging Technologies
- À§¿øÀå : È«¹®Ç¥(°í·Á´ëÇб³)
- °øµ¿À§¿øÀå: ¸ð¿¬°ï(»ï¼º SMD)
- À§ ¿ø : °­È£Ã¶(LG µð½ºÇ÷¹ÀÌ), ±¸º»¿ø(»ï¼ºÀüÀÚÁ¾ÇÕ±â¼ú¿ø),
±ÇÀåÇõ(°æÈñ´ëÇб³), ±è¿µ¼®(ÀüÀÚºÎÇ°¿¬±¸¿ø),
±èÀçÈÆ(ÇѾç´ëÇб³), ³ë¿ë¿µ(Çѹç´ëÇб³),
¹®Ã¶Èñ(È£¼­´ëÇб³), ¹èº´¼º(È£¼­´ëÇб³),
¹Ú»óÈñ(Çѱ¹ÀüÀÚÅë½Å¿¬±¸¿ø), ¼ÛÁ¤±Ù(µ¿¾Æ´ëÇб³),
ÀÌ¿ìÀç(»ï¼ºÀüÀÚ), À̽¿ì(°æÈñ´ëÇб³),
Á¤Àç°æ(ÀÎÇÏ´ëÇб³), Á¶Á¤´ë(Çѱ¹±â°è¿¬±¸¼Ò),
Áøº´µÎ(´Ü±¹´ëÇб³), ÃÖº´´ö(ÇѾç´ëÇб³),
È«¿ëÅÃ(¼­¿ï´ëÇб³), È«¿Ï½Ä(¼­¿ï½Ã¸³´ëÇб³)
 
I. MEMS & Sensors - À§¿øÀå : ¿À¿ë¼ö(»ï¼ºÀü±â)
- °øµ¿À§¿øÀå: ¹®¼º¿í(Çѱ¹°úÇбâ¼ú¿¬±¸¿ø)
- À§ ¿ø : °­°üÇü(Æ÷Ç×°ø°ú´ëÇб³), °ø¼ºÈ£(°æºÏ´ëÇб³),
±èµ¿Çö(¿¬¼¼´ëÇб³), ±è¿µ¹Î(È«ÀÍ´ëÇб³),
³²È¿Áø(LG Á¾ÇÕ±â¼ú¿ø), ºÎÁ¾¿í(SenPlus),
½ÅÇüÀç(»ï¼ºÀüÀÚ), ¾ç»ó½Ä(¾ÆÁÖ´ëÇб³),
¾çÇؽÄ(ºÎ»ê´ëÇб³), À±Áغ¸(KAIST),
ÀÌ»ó¿ì(¿¬¼¼´ëÇб³), ÀÌÁ¾Çö(±¤ÁÖ°úÇбâ¼ú¿ø),
Àå¿øÀÍ(Çѱ¹ÀüÀÚÅë½Å¿¬±¸¿ø), Á¶¼ºº¸(°¡ÃµÀÇ´ë),
ÁÖº´±Ç(°í·Á´ëÇб³), Çѽ¿À(È£¼­´ëÇб³)
 
J. Nano-Science & Technology - À§¿øÀå : Á¶¹®È£(Æ÷Ç×°ø°ú´ëÇб³)
- °øµ¿À§¿øÀå: Á¶°æ»ó(»ï¼ºÁ¾ÇÕ±â¼ú¿ø)
- À§ ¿ø : °­±â¼®(¼­¿ï´ëÇб³), ±è¿õ(°í·Á´ëÇб³), ±è»ó¿í(KAIST),
¹Ú¿øÀÏ(ÇѾç´ëÇб³), ¹Úö¹Î(¿¬¼¼´ëÇб³),
¾ÈÁ¾Çö(¼º±Õ°ü´ëÇб³), ÀÌ°ÇÀç(KAIST),
ÀÌ¿ì(Çѱ¹Ç¥ÁØ°úÇבּ¸¿ø), ÀÌŹÈñ(¼­¿ï´ëÇб³),
ÀÌÅ¿ì(Æ÷Ç×°ø°ú´ëÇб³), ÀÌÇö¿ì(Æ÷Ç×°ø°ú´ëÇб³),
ÇÑ»ó¼ö(¿¡ÀÌÄ¡¿£ÇÇ ±¹Á¦Æ¯Çã¹ý·ü»ç¹«¼Ò)
 
K. Memory
(Design & Process Technology)
- À§¿øÀå : Á¶¿ì¿µ(»ï¼ºÀüÀÚ)
- °øµ¿À§¿øÀå: ¹Î°æ½Ä(±¹¹Î´ëÇб³)
- À§ ¿ø : °ø¹è¼±(¼º±Õ°ü´ëÇб³), °ûµ¿È­(»ï¼ºÀüÀÚ),
±è¿µÈñ(â¿ø´ëÇб³), ±è¿ë±â(ÇÏÀ̴нº¹ÝµµÃ¼),
Á¶¼ºÀÍ(ÀüºÏ´ëÇб³), ÃÖ¿µµ·(»ï¼ºÀüÀÚ),
È«±Ç(ÇÏÀ̴нº¹ÝµµÃ¼), È«»óÈÆ(°æÈñ´ëÇб³)
 
L. Analog Design - À§¿øÀå : À¯Ã¢½Ä(ÇѾç´ëÇб³)
- °øµ¿À§¿øÀå: ¹Úº´ÇÏ(»ï¼ºÀüÀÚ)
- À§ ¿ø : °íÁø¼®(µ¿ºÎÇÏÀÌÅØ), ±è¼öȯ(¼­¿ï´ëÇб³),
±è½ÃÈ£(¿¬¼¼´ëÇб³), ³ëÁ¤Áø(ÇѾç´ëÇб³),
·ù½ÂŹ(KAIST), ¹® ¿ë(¼þ½Ç´ëÇб³),
¹Ú¿ëÀÎ(µ¿ºÎÇÏÀÌÅØ), ¹é±¤Çö(Áß¾Ó´ëÇб³),
¼Û¹Î±Ô(µ¿±¹´ëÇб³), ½ÉÀçÀ±(Æ÷Ç×°ø°ú´ëÇб³),
¾È±æÃÊ(¼­°­´ëÇб³), À±±¤¼·(ÀÎÇÏ´ëÇб³),
À̽ÂÈÆ(¼­°­´ëÇб³), ÀÌÀ±½Ä(ÀüÀÚºÎÇ°¿¬±¸¿ø),
ÀÌÁ¾¿í(°æÈñ´ëÇб³), ÀÎÇØÁ¤(ÇѾç´ëÇб³),
ÀÓ½ÅÀÏ(¼­°æ´ëÇб³), ÃÖÁßÈ£(¼­¿ï½Ã¸³´ëÇб³),
ÇÑ°ÇÈñ(¿¬¼¼´ëÇб³), È«±¹ÅÂ(LGÀüÀÚ)
 
M. RF Design - À§¿øÀå : ¹ÚÁعè(GCT ¼¼¹ÌÄÁ´öÅÍ)
- °øµ¿À§¿øÀå: ÀÌ°­À±(¼º±Õ°ü´ëÇб³)
- À§ ¿ø : ±è¿µÁø(Çѱ¹Ç×°ø´ëÇб³), ±èõ¼ö(Çѱ¹ÀüÀÚÅë½Å¿¬±¸¿ø),
±èÅ¿í(¿¬¼¼´ëÇб³), ±èÈ«µæ(LG ÀüÀÚ±â¼ú¿ø),
³²Àϱ¸(ºÎ»ê´ëÇб³), ¹Ú¼º¹Î(ÀÌÈ­¿©ÀÚ´ëÇб³),
¹éµ¿Çö(Áß¾Ó´ëÇб³), ¹üÁø¿í(¼­°­´ëÇб³),
¼­Ã¶Çå(¼þ½Ç´ëÇб³), ½ÅÇöö(±¤¿î´ëÇб³),
¿Õ¼ºÈ£(Radio Pulse), À¯Çö±Ô(Çѱ¹ÀüÀÚÅë½Å¿¬±¸¿ø),
ÀÌ»ó±¹(KAIST), ÀÌÀ缺(°í·Á´ëÇб³),
ÀÌÁ¾¿í(°æÈñ´ëÇб³), ÀÌÁ¾Ã¶(±¤¿î´ëÇб³),
Á¶¼ºÈ¯(KAIST), Ãֿ쿵(¿¬¼¼´ëÇб³)
 
N. VLSI CAD - À§¿øÀå : À¯½ÂÁÖ(Æ÷Ç×°ø°ú´ëÇб³)
- °øµ¿À§¿øÀå: ÀÌÁ¾Àº(UNIST)
- À§ ¿ø : ±èÁöÈÆ(Ãæ³²´ëÇб³), ±èÅÂȯ(¼­¿ï´ëÇб³),
À±¼º·Î(°í·Á´ëÇб³), ½Å¿µ¼ö(KIAST),
Àå·¡Çõ(¼­¿ï´ëÇб³), Á¤ÀÇ¿µ(¿¬¼¼´ëÇб³),
ÃÖÁ¤¿¬(»ï¼ºÀüÀÚ)
 
O. System LSI Design - À§¿øÀå : °øÁØÁø(»ï¼ºÀüÀÚ)
- °øµ¿À§¿øÀå: ÀÌÇÑÈ£(ÀÎÇÏ´ëÇб³)
- À§ ¿ø : ±èÁø»ó(°æÈñ´ëÇб³), ±è¼ºµ¿(ÀüÀÚºÎÇ°¿¬±¸¿ø),
±èÁÖÈ£(¼­°­´ëÇб³), ±èÅÂÂù(»ï¼ºÀüÀÚ),
¹ÚÀåÇö(Çѱ¹ÀüÀÚÅë½Å¿¬±¸¿ø), ¹ÚÁ¾¼±(°í·Á´ëÇб³),
À̱¤¿±(¼­°æ´ëÇб³), ÀÌÀçÁø(¼­¿ï´ëÇб³),
ÀÌÁø¾ð(»ï¼ºÀüÀÚ), ÀÌÂùÈ£(¼þ½Ç´ëÇб³),
ÀÓ¸í¼·(ÀüºÏ´ëÇб³), Á¤±â¼®(ÇѾç´ëÇб³),
Á¶°æ·Ï(ÃæºÏ´ëÇб³), Ãֱ⿵(¼­¿ï´ëÇб³),
ÃÖ¿µÈ£(°Ç±¹´ëÇб³), È«À¯Ç¥(µ¿±¹´ëÇб³)
 
P. Device for Energy
(Solar Cell, Power Device µî)
- À§¿øÀå : ¸íÀç¹Î(¿¬¼¼´ëÇб³)
- °øµ¿À§¿øÀå: ±èÀ±±â(»ï¼ºÀüÀÚ)
- À§ ¿ø : ±èÁ¤(¼¼Á¾´ëÇб³), ±è¿µÈ¯(Çѱ¹°úÇбâ¼ú¿¬±¸¿ø),
±è´ö±â(¼¼Á¾´ëÇб³), ¹Ú¼º±â(LG µð½ºÇ÷¹ÀÌ),
À¯ÀαÔ(Çѱ¹ÀüÀÚÅë½Å¿¬±¸¿ø), À̵ο­(»ï¼ºÀüÀÚ),
Àμö°­(»ï¼ºÁ¾ÇÕ±â¼ú¿ø), Á¤ÁØÈ£(Çѱ¹±â°è¿¬±¸¿ø),
Á¼ºÈÆ(¼­¿ï»ê¾÷´ëÇб³), ȲâÈÆ(Teliosolar)
 
Q. Metrology, Inspection,
and Yield Enhancement
- À§¿øÀå : ±èÈ£¼·(¼±¹®´ëÇб³)
- °øµ¿À§¿øÀå: À¯Çü¿ø(ÇÏÀ̴нº¹ÝµµÃ¼)
- À§ ¿ø : ±èÀç»ï(Nanometrics), ±èÁø½Â(ÀüºÏ´ëÇб³)
¹Úº´Ãµ(Çѱ¹Ç¥ÁØ°úÇבּ¸¼Ò), ¹è¿¬È£(KLA-Tencor),
¾çÁظð(³ª³ëÁ¾ÇÕÆÔ), À̺´È£(»ï¼ºÀüÀÚ),
À̼ºÀç(Ãæ³²´ëÇб³), ÀÓ¼±Á¾(Çѱ¹±â°è¿¬±¸¿ø),
Àå¿ø±Ô(LG µð½ºÇ÷¹ÀÌ), Á¶¿ëÀç(Çѱ¹Ç¥ÁØ°úÇבּ¸¼Ò),
Â÷º´Ã¶(»ï¼ºÀüÀÚ)